电气特性¶
CI1316X的电气特性参数见下表。
表E-1 电气特性表
| 符号 | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VIN5V | 芯片供电输入 Note1 | 3.6 | 5 | 5.5 | V |
| AVDD | 3.3V电源 | 2.97 | 3.3 | 3.63 | V |
| VDD11 | 1.1V电源 | 0.99 | 1.1 | 1.21 | V |
| VIH | 输入高电压 （3.0V ≤ VDD33 ≤ 3.6V） |
0.7*VDD33 | - | VDD33+0.3 | V |
| VIL | 输入低电压 （3.0V ≤ VDD33 ≤ 3.6V） |
-0.3 | - | 0.3*VDD33 | V |
| VOL | 输出低电压 @IOL = 12mA | - | - | 0.4 | V |
| VOH | 输出高电压 @IOH = 20mA | 2.4 | - | - | V |
| I5V-IO | 5V耐压IO口输出3.3V时驱动电流 | 20 | - | 33 | mA |
| I3V3-IO | 3.3V耐压IO口输出3.3V时驱动电流 | 14 | - | 24 | mA |
| ΣIVDD | 芯片所有IO总电流之和 | - | - | 200 | mA |
| Pde | 芯片采用5V供电且VDD11采用外部供给1.1V状态，正常识别时5V电源的总功耗（TA = 25 °C） | 40 | - | 90 | mW |
| Pdi | 芯片采用5V供电且系统采用内部LDO供电，正常识别时5V输入的总功耗（TA = 25 °C） | 125 | - | 255 | mW |
| RC振荡器 精度 Note5 |
TA = -40 to 85°C | -1.5 | - | +1.5 | % |
| Top | 芯芯片工作环境温度 | -40 | - | +85 | ℃ |
| Tst | 芯片储存环境温度 | -55 | - | +150 | ℃ |
Note4：要求纹波小于300mVp-p。
Note5：半导体技术原理及特性的原因，芯片内置的RC振荡器在高低温环境中，其振荡频率精度会产生一定的温漂(±1.5%)，CI1316X内置波特率自适应电路，可支持在高低温环境中芯片与上位机的正常通讯。若应用方案要求芯片的时钟需要非常精确，请采用我司配置有外置晶振的芯片及相应的应用方案。