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电气特性

CI1324X的电气特性参数见下表。

表E-1 电气特性表

符号 描述 最小值 典型值 最大值 单位
VIN5V 芯片供电输入 Note1 3.6 5 5.5 V
AVDD 3.3V电源 2.97 3.3 3.63 V
VDD11 1.1V电源 0.99 1.1 1.21 V
VIH 输入高电压
(3.0V ≤ VDD33 ≤ 3.6V)
0.7*VDD33 - VDD33+0.3 V
VIL 输入低电压
(3.0V ≤ VDD33 ≤ 3.6V)
-0.3 - 0.3*VDD33 V
VOL 输出低电压 @IOL = 12mA - - 0.4 V
VOH 输出高电压 @IOH = 20mA 2.4 - - V
I5V-IO 5V耐压IO口输出3.3V时驱动电流 20 - 33 mA
I3V3-IO 3.3V耐压IO口输出3.3V时驱动电流 14 - 24 mA
ΣIVDD 芯片所有IO总电流之和 - - 260 mA
Pde 芯片采用5V供电且VDD11采用外部供给1.1V状态,正常识别时5V电源的总功耗(TA = 25 °C) 40 - 90 mW
Pdi 芯片采用5V供电且系统采用内部LDO供电,正常识别时5V输入的总功耗(TA = 25 °C) 125 - 255 mW
RC振荡器
精度 Note5
TA = -40 to 85°C -1.5 - +1.5 %
Top 芯芯片工作环境温度 -40 - +85
Tst 芯片储存环境温度 -55 - +150

Note4:要求纹波小于300mVp-p。
Note5:半导体技术原理及特性的原因,芯片内置的RC振荡器在高低温环境中,其振荡频率精度会产生一定的温漂(±1.5%),CI1324X内置波特率自适应电路,可支持在高低温环境中芯片与上位机的正常通讯。若应用方案要求芯片的时钟需要非常精确,请采用我司配置有外置晶振的芯片及相应的应用方案。