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电气特性

CI1103电气特性参数见下表。

表20 电气参数表

符号 参数 最小值 典型值 最大值 单位
VCC 芯片IO供电电压 2.97 3.3 3.63 V
VDD 芯片内核供电电压 1.08 1.2 1.32 V
VIH 输入高电压 2.0 - 3.6 V
VIL 输入低电压 -0.3 - 0.8 V
VOL 输出低电压 @IOL = 2,4,8mA - - 0.4 V
VOH 输出高电压 @IOH = 2,4,8mA 2.4 - - V
ADC_VREF33 SAR ADC参考电压 2.97 3.3 3.63 V
PLL_AVDD12 PLL模拟供电电压 1.08 1.2 1.32 V
I3.3v 芯片3.3V供电工作电流 9.83 13 14.5 mA
I1.2v 芯片1.2V供电工作电流 49 51 53 mA
Is3.3v 芯片3.3V供电睡眠模式工作电流 9.5 9.51 9.53 mA
Is1.2v 芯片1.2V供电睡眠模式工作电流 4.5 4.75 5 mA
Ta 芯片工作环境温度 -20 - +85
Tst 芯片储存环境温度 -55 - +150

CI1103进行SMT焊接时请控制炉温和时间,一个SMT焊接的温度曲线如下图所示。

CI1103 SMT焊接温度曲线

图25 CI1103 SMT焊接温度曲线

CI1103的潮湿敏感度等级为MSL3级,使用前请按照MSL3级条件存储。如果开包装后存放时间超过MSL3级的要求,请在SMT焊接前先进行烘烤。

芯片采用无铅环保工艺制造,SMT焊接时请按照无铅标准设置炉温和时间等参数。 芯片取用、包装时需注意静电影响,建议采用抗静电材料隔离。