电气特性

CI1103电气特性参数见下表。

表20 电气参数表

符号	参数	最小值	典型值	最大值	单位
VCC	芯片IO供电电压	2.97	3.3	3.63	V
VDD	芯片内核供电电压	1.08	1.2	1.32	V
VIH	输入高电压	2.0	-	3.6	V
VIL	输入低电压	-0.3	-	0.8	V
VOL	输出低电压 @IOL = 2,4,8mA	-	-	0.4	V
VOH	输出高电压 @IOH = 2,4,8mA	2.4	-	-	V
ADC_VREF33	SAR ADC参考电压	2.97	3.3	3.63	V
PLL_AVDD12	PLL模拟供电电压	1.08	1.2	1.32	V
I3.3v	芯片3.3V供电工作电流	9.83	13	14.5	mA
I1.2v	芯片1.2V供电工作电流	49	51	53	mA
Is3.3v	芯片3.3V供电睡眠模式工作电流	9.5	9.51	9.53	mA
Is1.2v	芯片1.2V供电睡眠模式工作电流	4.5	4.75	5	mA
Ta	芯片工作环境温度	-20	-	+85	℃
Tst	芯片储存环境温度	-55	-	+150	℃

CI1103进行SMT焊接时请控制炉温和时间，一个SMT焊接的温度曲线如下图所示。

图25 CI1103 SMT焊接温度曲线

CI1103的潮湿敏感度等级为MSL3级，使用前请按照MSL3级条件存储。如果开包装后存放时间超过MSL3级的要求，请在SMT焊接前先进行烘烤。

芯片采用无铅环保工艺制造，SMT焊接时请按照无铅标准设置炉温和时间等参数。 芯片取用、包装时需注意静电影响，建议采用抗静电材料隔离。